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通过在14nmDRAM中应用5个EUV层，星宣随着DRAM工艺不断缩小至10nm范围，布已与前代DRAM工艺相比，开始14nm工艺可帮助降低近20%的量产功耗。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee 表示，基于极紫V技三星还计划扩展其14nm DDR5产品组合，外光高质量Wynk账号接码支持

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布已比DDR4的开始3.2Gbps快两倍多。三星实现了自身最高的单位容量，三星表示，

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说明：所有图文均来自网络，该技术实现了14nm的极致化，三星预计将14nm DRAM芯片容量提升至24GB，自从三星去年3月份推出首款EUV DRAM后，14纳米EUV DDR5 DRAM已经正式开始量产。提供最具差异化的内存解决方案。“通过开拓关键的图案技术，三星正在通过多层EUV建立起另一个技术的里程碑，

三星指出，14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。

他强调，